ITO膜硅片四探針電阻率測試儀方法也可適用于更高或更低照值方塊電阻的測量，但其測量

準確度尚未評估。

使用直排四探針測量裝置、使直流電流通過試樣上兩外

探件，測量兩內操針之間的電位差，引人與試樣幾何形軟有

關的修正因子，計算出薄層電阻。覆蓋膜;導電高分子膜，高、低溫電熱膜;隔熱、導電窗膜 導電(屏蔽)布、裝飾膜、裝飾紙;金屬化標簽、合金類箔膜;熔煉、燒結、濺射、涂覆、涂布層，電阻式、電容式觸屏薄膜;電極涂料，其他半導體材料、薄膜材料方阻測試采用四探針組合雙電測量方法，液晶顯示，自動測量，自動量程，自動系數(shù)補償.高集成電路系統(tǒng)、恒流輸出；選配：PC軟件進行數(shù)據(jù)管理和處理.

雙電測數(shù)字式四探針測試儀是運用直線或方形四探針雙位測量。該儀器設計符合單晶硅物理測試方法國家標準并參考美國A.S.T.M標準。利用電流探針、電壓探針的變換，進行兩次電測量，對數(shù)據(jù)進行雙電測分析，解決樣品幾何尺寸、邊界效應以及探針不等距和機械游移等因素對測量結果的影響.

采用四探針組合雙電測量方法，液晶顯示，自動測量，自動量程，自動系數(shù)補償.高集成電路系統(tǒng)、恒流輸出；選配：PC軟件進行數(shù)據(jù)管理和處理.

雙電測數(shù)字式四探針測試儀是運用直線或方形四探針雙位測量。該儀器設計符合單晶硅物理測試方法標準并參考美國A.S.T.M標準。利用電流探針、電壓探針的變換，進行兩次電測量，對數(shù)據(jù)進行雙電測分析，解決樣品幾何尺寸、邊界效應以及探針不等距和機械游移等因素對測量結果的影響.

概述：采用四端測量法適用于生產企業(yè)、高等院校、科研部門，實驗室；是檢驗和分析導體材料和半導體材料質量的工具。可配置不同測量裝置測試不同類型材料之電阻率。液晶顯示，溫度補償功能，自動量程，自動測量電阻，電阻率，電導率數(shù)據(jù)。恒流源輸出；選配：PC軟件過程數(shù)據(jù)處理和標準電阻校準儀器，薄膜按鍵操作簡單，中文或英文兩種語言界面選擇，電位差計和電流計或數(shù)字電壓表，量程為1mVˉ100mV,

分辨率為0.1%，直流輸入阻抗不小

250μm的半球形或半徑為50 μm~125 μm的平的

圓截面。

探針(帶有彈簧及外引線)之間或探針系統(tǒng)其他部分之

間的絕緣電照至少為10°Ω.探針排列和間距，四探針應以

等距離直線排列，探針閥距及針突狀況應符合GB/T 552 中

的規(guī)定。

R=1(R +R, )…………………………(3)R2=與(R; +R，)

計算試樣平均直徑D與平均操針間距S之比，由表3中

查出修正因子F，也可以見GB/T11073中規(guī)定的幾何修正因

子。 9.4計算幾何修正因子F，見式(4)。

對于薄層厚度小于3μm的試樣，選用針尖半徑為100

μm250μm的半球形探針或針尖率徑為50μm~125 pm平

頭探針，針尖與試樣間壓力為0.3 Nˉ0.8Ni對于薄層厚度不

小于3μ的試樣，選用針尖半徑為35μm100 pm 半球形

操針，針尖與試樣間壓力不大于 0.3 N.

Rr=V; R,/V=V/I,…… … R,=V,R,/V_=V,/I,-

雙刀雙撐電位選擇開關。.定。歐嬌表，能指示阻值高達10°日的漏電阻，溫度針

0℃-40℃，小刻度為0.1℃。

光照、高頻、需動、強電磁場及溫醒度等測試環(huán)境會影

響測試結果，

甲醇、99.5%，干燥氮氣。測量儀器探針系統(tǒng)操針為具

有45"~150°角的圓罐形破化鴨振針，針實半徑分別為35

μm~100μm.100 μm

…… … ………(5)

電壓表輸入阻抗會引入測試誤差，硅片幾何形狀，表

面粘污等會影響測試結果，

R(TD-R_xF式中:

計算每一測量位置的平均電阻R.，見式(3).

試劑優(yōu)級純，純水，25℃時電阻率大于2MN.cm,

s=號(二[R，(TD-瓦(7D羽yt ..

計算每一測量位置在所測溫度時的薄層電阻(可根據(jù)薄

層電阻計算出對應的電阻率并修正到23℃，具體見表4)

見式(5).

用干凈涂題顆子或吸筆將試樣置于樣品臺上，試樣放置

的時間應足夠長，到達熱平衡時，試樣溫度為23 ℃±1℃.

接通電流，令其任一方向為正向，調節(jié)電流大小見表1測量范圍

    電阻率：1×10-4～2×105 Ω-cm，分辨率：1×10-5～1×102 Ω-cm

    方  阻：5×10-4～2×105 Ω/□，分辨率：5×10-5～1×102 Ω/□

    電  阻：1×10-5～2×105 Ω   ，分辨率：1×10-6～1×102 Ω

3.2  材料尺寸(由選配測試臺決定和測試方式決定)直    徑：A圓測試臺直接測試方式 Φ15～130mm，   方測試臺直接測試方式180mm×180mm，    長(高)度：測試臺直接測試方式 H≤100mm,        測量方位: 軸向、徑向均可

3.3.  4-1/2 位數(shù)字電壓表：

    (1)量程： 20.00mV～2000mV

    (2)誤差：±0.1%讀數(shù)±2 字

3.4  數(shù)控恒流源

   (1)量程：0.1μA，1μA，10μA，100µA，1mA，10mA，100mA，1A

   (2)誤差：±0.1%讀數(shù)±2 字

所給出的某一合適值，測量并記錄所得數(shù)據(jù)，所有測試數(shù)據(jù)

至少應取三位有效數(shù)字。改變電流方向，測量、記錄數(shù)據(jù)。

關斷電流，搶起探針裝置，對仲裁測量，探針間距為1.59

ITO膜硅片四探針電阻率測試儀本儀器本儀器采用四探針雙電測量方法，適用于生產企業(yè)、高等院校、科研部門，是檢驗和分析導體材料和半導體材料質量的一種重要的工具。本儀器配置各類測量裝置可以測試不同材料。液晶顯示，無需人工計算，并帶有溫度補償功能，電阻率單位自動選擇，儀器自動測量并根據(jù)測試結果自動轉換量程，無需人工多次和重復設置。采用高精度AD芯片控制，恒流輸出，結構合理、質量輕便，運輸安全、使用方便；選配：配備軟件可以由電腦操控，并保存和打印數(shù)據(jù)，自動生成報表；本儀器采用4.3吋大液晶屏幕顯示，同時顯示液晶顯示：電阻、電阻率、方阻、溫度、單位換算、溫度系數(shù)、電流、電壓、探針形狀、探針間距、厚度 、電導率，壓強 配置不同的測試治具可以滿足不同材料的測試要求。測試治具可以根據(jù)產品及測試項目要求選購.

雙電測數(shù)字式四探針測試儀是運用直線或方形四探針雙位測量。

標準要求：

該儀器設計符合單晶硅物理測試方法國家標準并參考美國 A.S.T.M 標準。利用電流探針、電壓探針的變換，進行兩次電測量，對數(shù)據(jù)進行雙電測分析，自動消除樣品幾何尺寸、邊界效應以及探針不等距和機械游移等因素對測量結果的影響，它與單電測直線或方形四探針相比，大大提高精確度，特別是適用于斜置式四探針對于微區(qū)的測試。