1Mhz介電常數(shù)/介質(zhì)損耗測定儀討論——b:串聯(lián)模型——對(duì)于某種具有電介質(zhì)損耗

1Mhz介電常數(shù)/介質(zhì)損耗測定儀

這些試驗(yàn)方法所用術(shù)語定義以及電絕緣材料相關(guān)術(shù)語定義見術(shù)語標(biāo)準(zhǔn)D1711。

　　本標(biāo)準(zhǔn)專用術(shù)語定義：

　　電容，C，名詞——當(dāng)導(dǎo)體之間存在電勢差時(shí)，導(dǎo)體和電介質(zhì)系統(tǒng)允許儲(chǔ)存電分離電荷的性能。

　　討論——電容是指電流電量 q與電位差V之間的比值。電容值總是正值。當(dāng)電量采用庫倫為單位，電位采用伏特為單位時(shí)，電容單位為法拉，即：

　　C=q/V （1）

　　耗散因子（D），（損耗角正切），（tanδ），名詞——是指損耗指數(shù)（K''）與相對(duì)電容率（K'）之間的比值，它還等于其損耗角（δ）的正切值或者其相位角（θ）的余切值（見圖1和圖2）。

　　D=K''/K' (2)

　　3.2.2.1 討論——a：

　　D=tanδ=cotθ=Xp/Rp=G/ωCp=1/ωCpRp(3)

　　式中：

　　G=等效交流電導(dǎo)，

　　Xp=并聯(lián)電抗，

　　Rp=等效交流并聯(lián)電阻，

　　Cp=并聯(lián)電容，

　　ω=2πf（假設(shè)為正弦波形狀）

　　耗散因子的倒數(shù)為品質(zhì)因子Q，有時(shí)成為儲(chǔ)能因子。對(duì)于串聯(lián)和并聯(lián)模型，電容器耗散因子D都是相同的，按如下表示為：

　　D=ωRsCs=1/ωRpCp(4)

　　串聯(lián)和并聯(lián)部分之間的關(guān)系滿足以下要求：

　　Cp=Cs/(1 D2) (5)

　　Rp/Rs=(1 D2)/D2=1 (1/D2)=1 Q2(6)