四探針電阻率檢測儀步驟及流程

1. 開啟電源，預(yù)熱5分鐘.

2. 裝配好探頭和測試平臺.

3. 設(shè)定所需參數(shù).

4. 測量樣品

5. 導(dǎo)出數(shù)據(jù).

 優(yōu)點描述：

1. 自動量程

2. 雙電組合測試方法

3. 標(biāo)準(zhǔn)電阻校準(zhǔn)儀器

4. PC軟件運(yùn)行

5. 同時顯示電阻、電阻率、電導(dǎo)率數(shù)據(jù).

6. 可顯示5位有效數(shù)字.

7. 中、英文界面

四探針電阻率檢測儀適用范圍：

1.覆蓋膜;導(dǎo)電高分子膜，高、低溫電熱膜;隔熱、導(dǎo)電窗膜 導(dǎo)電(屏蔽)布、裝飾膜、裝飾紙;金屬化標(biāo)簽、合金類箔膜;熔煉、燒結(jié)、濺射、涂覆、涂布層，電阻式、電容式觸屏薄膜;電極涂料，其他半導(dǎo)體材料、薄膜材料方阻測試

2.硅晶塊、晶片電阻率及擴(kuò)散層、外延層、ITO導(dǎo)電箔膜、導(dǎo)電橡膠等材料方塊電阻  半導(dǎo)體材料/晶圓、太陽能電池、電子元器件，導(dǎo)電薄膜（ITO導(dǎo)電膜玻璃等），金屬膜，導(dǎo)電漆膜，蒸發(fā)鋁膜，PCB銅箔膜，

3.EMI涂層等物質(zhì)的薄層電阻與電阻率  導(dǎo)電性油漆，導(dǎo)電性糊狀物，導(dǎo)電性塑料，導(dǎo)電性橡膠，導(dǎo)電性薄膜，金屬薄膜，

4.抗靜電材料， EMI 防護(hù)材料，導(dǎo)電性纖維，導(dǎo)電性陶瓷等

參照標(biāo)準(zhǔn)：

1.硅片電阻率測量的標(biāo)準(zhǔn)（ASTM F84）.

2.GB/T 1551-2009 《硅單晶電阻率測定方法》.

3.GB/T 1551-1995《硅、鍺單晶電阻率測定直流兩探針法》.

4.GB/T 1552-1995《硅、鍺單晶電阻率測定直流四探針法》

一般目前的四探針電阻率（電導(dǎo)率）測試儀均已配置厚度的修正，通過厚度數(shù)值的設(shè)置，計算出不同的樣品厚度對電阻率的影響。數(shù)字式四探針測試儀是運(yùn)用四探針測量原理的多用途綜合測量裝置，zui常用的是直線型四探針。四根探針的針尖在同一直線上，并且間距相等，都是S，一般采用0.5mm的間距，不同的探針間距需要對測量結(jié)果做相應(yīng)的校正?？梢詼y量片狀、塊狀半導(dǎo)體材料的電阻率，擴(kuò)散層的薄層電阻（亦稱方塊電阻）。也可測柔性導(dǎo)電薄膜和玻璃等硬基底上導(dǎo)電膜的方塊電阻（簡稱方阻），換上四端子測試夾具，還可對電阻器體電阻、金屬導(dǎo)體的低、中值電阻以及開關(guān)類接觸電阻進(jìn)行測量。

儀器所有參數(shù)設(shè)定、功能轉(zhuǎn)換全部采用數(shù)字化鍵盤輸入；具有零位、滿度自校功能；自動轉(zhuǎn)換量程；測試探頭采用寶石導(dǎo)向軸套和高耐磨碳化鎢探針制成，故定位準(zhǔn)確、游移率小、壽命長；測試結(jié)果由數(shù)字表頭直接顯示。在計算機(jī)控制下進(jìn)行兩次電測量，能自動消除樣品幾何尺寸、邊界效應(yīng)以及探針不等距和機(jī)械游移等因素對測量結(jié)果的影響。因而每次測量不必知道探針間距、樣品尺寸及探針在樣品表面上的位置。由于每次測量都是對幾何因素的影響進(jìn)行動態(tài)的自動修正，測試程序控制四探針測試儀進(jìn)行測量并采集測試數(shù)據(jù)，把采集到的數(shù)據(jù)在計算機(jī)中加以分析，然后把測試數(shù)據(jù)以表格，圖形直觀地記錄、顯示出來。

 產(chǎn)品特點：

四探針：一次測量，顯示完整電阻率值。

采用了*的恒流源技術(shù)，能夠滿足寬范圍的電阻率測試要求

電阻率測量：大屏幕清晰顯示硅料電阻率值，方便檢料工快速分選

電流測量：本儀器采用*芯片技術(shù)，可通過調(diào)節(jié)硅材料厚度，儀器可直接鎖定電流，使測量使用更加簡便準(zhǔn)確，本儀器可根據(jù)需要配備測試平臺， 利用測試平臺可以測試薄片電阻率

 注意事項：

1、儀器不使用時請切斷電源，連接線無需經(jīng)常拔下，避免灰塵進(jìn)入航空插引起短接等現(xiàn)象，

2、探針筆測試結(jié)束，套好護(hù)套，避免人為斷針

3、儀器操作前請您仔細(xì)閱讀使用說明書，規(guī)范操作

4、輕拿輕放，避免儀器震動，水平放置，垂直測量