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300C低電阻及電阻率測試儀

300C低電阻及電阻率測試儀

簡要描述:300C低電阻及電阻率測試儀液晶顯示,自動測量,自動量程,自動系數(shù)補償.
高集成電路系統(tǒng)、恒流輸出.
選配:PC軟件進行數(shù)據(jù)管理和處理.
提供中文或英文兩種語言操作界面選擇

更新時間:2024-07-14

產(chǎn)品型號:BEST

廠商性質(zhì):生產(chǎn)廠家

訪問量:902

產(chǎn)品詳情
品牌北廣精儀產(chǎn)地類別國產(chǎn)
類型指針式電阻測試儀應用領域化工,農(nóng)業(yè),文體,能源,建材

300C低電阻及電阻率測試儀采用四探針雙電測量方法,適用于生產(chǎn)企業(yè)、高等院校、科研部門,是檢驗和分析導體材料和半導體材料質(zhì)量的一種重要的工具。本儀器配置各類測量裝置可以測試不同材料。液晶顯示,無需人工計算,并帶有溫度補償功能,電阻率單位自動選擇,儀器自動測量并根據(jù)測試結(jié)果自動轉(zhuǎn)換量程,無需人工多次和重復設置。采用高精度AD芯片控制,恒流輸出,結(jié)構(gòu)合理、質(zhì)量輕便,運輸安全、使用方便;選配:配備軟件可以由電腦操控,并保存和打印數(shù)據(jù),自動生成報表;本儀器采用4.3吋大液晶屏幕顯示,同時顯示液晶顯示:電阻、電阻率、方阻、溫度、單位換算、溫度系數(shù)、電流、電壓、探針形狀、探針間距、厚度 、電導率,配置不同的測試治具可以滿足不同材料的測試要求。測試治具可以根據(jù)產(chǎn)品及測試項目要求選購.

雙電測數(shù)字式四探針測試儀是運用直線或方形四探針雙位測量。該儀器設計符合單晶硅物理測試方法國家標準并參考美國 A.S.T.M 標準。利用電流探針、電壓探針的變換,進行兩次電測量,對數(shù)據(jù)進行雙電測分析,自動消除樣品幾何尺寸、邊界效應以及探針不等距和機械游移等因素對測量結(jié)果的影響,它與單電測直線或方形四探針相比,大大提高精確度,特別是適用于斜置式四探針對于微區(qū)的測試。

300C低電阻及電阻率測試儀滿足標準:

1.硅片電阻率測量的國際標準(ASTM F84).

2.GB/T 1551-2009 《硅單晶電阻率測定方法》.

3.GB/T 1551-1995《硅、鍺單晶電阻率測定直流兩探針法》.

4.GB/T 1552-1995《硅、鍺單晶電阻率測定直流四探針法》.

參數(shù)資料1.方塊電阻范圍:10-6~2×106Ω/□2.電阻率范圍:10-7~2×103Ω-cm3.測試電流范圍:0.1μA,1μA,10μA,100µA.4.電流精度:±0.1%讀數(shù)5.電阻精度:≤0.3%6.顯示讀數(shù):液晶顯示:電阻、電阻率、方阻、溫度、單位換算、溫度系數(shù)、電流、電壓、探針形狀、探針間距、厚度 、電導率.7.測試方式: 雙電測量8.工作電源:輸入: AC 220V±10% ,50Hz 功 耗 lt;30W9.整機不確定性誤差:≤4%(標準樣片結(jié)果)10.選購功能: 選購1.pc軟件; 2.方形探頭; 3.直線形探頭; 4.測試平臺11.測試探頭:  探針間距選購:1mm;2mm;3mm三種規(guī)格; 探針材質(zhì)選購:碳化鎢針;白鋼針;鍍金磷銅半球形針

參數(shù)parameters

1.電阻率/ resistivity: 10-8~2×106ω-cm

2.電阻/ resistance: 10-8~2×106ω

3.電導率/ conductivity:5 ×10-6~108s/cm

4.分辨率:0.1μω/resolution: minimum 0.1μω

5.測量誤差±(0.05%讀數(shù)±5字)/ accuracy ±0.05%

6.測量電壓量程/ measuring voltage range:2mv 20mv 200mv 2v

7.測量精度±(0.1%讀數(shù))/ measuring accuracy ±0.1%

8.分辨率/resolution: 0.1uv 1uv 10uv 100uv

9.電流輸出:直流電流0~1000ma可調(diào),輸入220v。

current output: dc current 0~1000ma adjustable. input 220v.

10.量程/range:1μa,10μa,100μa,1ma,10ma,1000ma.

11.誤差:±0.2%讀數(shù)±2字/accuracy ±0.2%

12.測試治具:電纜導電層直徑:10mm-40mm

該儀器設計符合單晶硅物理測試方法國家標準并參考美國 A.S.T.M標準。利用電流探針、電壓探針的變換,進行兩次電測量,對數(shù)據(jù)進行雙電測分析,自動消除樣品幾何尺寸、邊界效應以及探針不等距和機械游移等因素對測量結(jié)果的影響,它與單電測直線或方形四探針相比,大大提高精確度,特別是適用于斜置式四探針對于微區(qū)的測試。廣泛用于:覆蓋膜;導電高分子膜,高、低溫電熱膜;隔熱、防輻射導電窗膜 導電(屏蔽)布、裝飾膜、裝飾紙;金屬化標簽、合金類箔膜;熔煉、燒結(jié)、濺射、涂覆、涂布層,電阻式、電容式觸屏薄膜;電極涂料,其他半導體材料、薄膜材料方阻測試硅晶塊、晶片電阻率及擴散層、外延層、ITO導電箔膜、導電橡膠等材料方塊電阻  半導體材料/晶圓、太陽能電池、電子元器件,導電薄膜(ITO導電膜玻璃等),金屬膜,導電漆膜,蒸發(fā)鋁膜,PCB銅箔膜,EMI涂層等物質(zhì)的薄層電阻與電阻率 導電性油漆,導電性糊狀物,導電性塑料,導電性橡膠,導電性薄膜,金屬薄膜,抗靜電材料, EMI防護材料,導電性纖維,導電性陶瓷等

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